Silicon carbide (SiC) thuộc về thế hệ bán dẫn thứ baban ca doi thuong, trong đó các linh kiện MOSFET SiC có khả năng hoạt động hiệu quả hơn trong điều kiện điện áp cao, tần số lớn và nhiệt độ khắc nghiệt so với các linh kiện silicon truyền thống. Việc tăng tần số giúp giảm kích thước các linh kiện từ tính, từ đó đạt được mật độ công suất cao hơn. MOSFET SiC phẳng của Pinejoin có độ tin cậy tuyệt vời ở lớp oxit cổng, đồng thời có sự biến thiên Rdson nhỏ khi làm việc ở nhiệt độ cao, mang lại đặc tính nhiệt tốt hơn. Loại MOSFET SiC này sử dụng kiểu bọc chân TO247-3, cho phép thay thế trực tiếp các linh kiện MOSFET silicon cùng loại, mang lại giá trị kinh tế cao hơn.