Transistor GaN (GaN HEMT)

Vì vật liệu gallium nitride (GaN) có khả năng sinh nhiệt rất thấp và điện trường đánh thủng caoban tien ca, các linh kiện công suất dựa trên GaN HEMT sở hữu điện áp rơi khi dẫn rất nhỏ cùng tổn hao chuyển mạch cực kỳ thấp. Điều này cho phép nguồn cung cấp điện sử dụng GaN HEMT hoạt động ở tần số chuyển mạch vượt quá 1MHz, đồng thời sử dụng các linh kiện lưu trữ năng lượng có kích thước rất nhỏ, nhờ đó đạt được mật độ công suất cực kỳ cao. Chính vì vậy, GaN HEMT đang được ứng dụng rộng rãi trong lĩnh vực nguồn điện cho thiết bị điện tử tiêu dùng và công nghệ thông tin.