Các vật liệu bán dẫn thế hệ thứ ba như silicon carbide (SiC) và gallium nitride (GaN) sở hữu những đặc tính nổi bật như dải cấm rộngbán cá online, cường độ điện trường phá vỡ cao, độ dẫn nhiệt tốt, tốc độ bão hòa của electron cao và khả năng chống bức xạ mạnh. So với các linh kiện bán dẫn công suất truyền thống dựa trên silic, các linh kiện công suất dựa trên SiC và GaN có ưu điểm vượt trội như điện trở dẫn thấp, tổn hao chuyển mạch nhỏ, nhiệt độ hoạt động cao và khả năng tản nhiệt tốt. Do đó, bộ biến đổi điện tử công suất sử dụng linh kiện SiC và GaN có thể nâng cao tần số chuyển mạch đáng kể, giảm kích thước bộ tản nhiệt, các linh kiện lưu trữ năng lượng và bộ lọc, từ đó đạt được hiệu suất chuyển đổi và mật độ công suất cao hơn. Các linh kiện công suất SiC và GaN đang dần thay thế các linh kiện công suất truyền thống dựa trên silic, mang đến một cuộc cách mạng sâu rộng cho ngành công nghiệp biến đổi điện tử công suất. Công ty PNJ Semiconductor chuyên nghiên cứu thiết kế và phát triển các linh kiện bán dẫn thế hệ thứ ba, sở hữu nền tảng kỹ thuật vững chắc và lợi thế toàn diện trong chuỗi cung ứng. Trong đó, thiết kế MOSFET SiC của PNJ Semiconductor đứng đầu ngành, các chỉ tiêu kỹ thuật quan trọng như HDFM đạt vị trí hàng đầu toàn cầu. PNJ Semiconductor đã ra mắt hơn 100 mô hình khác nhau của diode SiC, MOSFET SiC, module công suất SiC và GaN HEMT ở ba cấp điện áp 650V, 1200V và 1700V, cung cấp cho khách hàng nhiều lựa chọn và hỗ trợ kỹ thuật toàn diện. Sản phẩm sản xuất hàng loạt của PNJ Semiconductor đã được sử dụng rộng rãi trong các lĩnh vực như xe điện, nguồn điện thiết bị IT, bộ biến tần mặt trời, hệ thống lưu trữ năng lượng, và ứng dụng công nghiệp, cung cấp ổn định cho các nhà sản xuất hàng đầu và nhận được sự đánh giá cao về chất lượng cũng như năng lực cung ứng.