Bài phát biểu chủ đề tại Hội nghị Thượng đỉnh Tô Châu của Pionee | Tình hình và xu hướng phát triển của thiết bị công suất silicon carbide
Ngày 22-23 tháng 5 năm 2024bxh ngoai hang anh, sự kiện do ACT International tổ chức đã diễn ra với nhiều chủ đề quan trọng trong ngành công nghiệp. Hội nghị Phát triển và Cơ hội Công nghệ Tiên tiến Bán dẫn năm 2024 Được tổ chức tại Thượng Hải8XBET, hội nghị tập trung vào Vật liệu bán dẫn hợp chất và công nghệ sản xuấtbongdaso, bao gói và công nghệ ứng dụng thiết bị điện tử công suất, sản xuất bán dẫn và bao gói tiên tiến Các vấn đề nóng hổi trong ngành đã được thảo luận tại hội nghị cao cấp. Pinejia8XBET, thương hiệu hàng đầu trong lĩnh vực bán dẫn thế hệ thứ ba, sở hữu nền tảng công nghệ sâu rộng và lợi thế toàn diện trong chuỗi cung ứng, có kinh nghiệm sản xuất phong phú trong lĩnh vự Đến năm 2023, Pinejia đã đưa hơn 1 triệu xe điện mới vào thị trường.
Ông Lý Dươn được mời tham dự và đã có bài phát biểu chủ đề vào sáng ngày 23 tháng 5bxh ngoai hang anh, chia sẻ và trao đổi với mọi người Ưu điểm về tính năng tổng thể của chip silic carbua trên xe 。
Người thuyết trình - Lý Dươn
Tiến sĩ8XBET, Trưởng nhóm kỹ sư ứng dụng
Tại hội nghị8XBET, Tiến sĩ Lý Dươn đã nói về " ①S iC M Xu hướng phát triển ứng dụng OSFET8XBET, so sánh các lộ trình kỹ thuật của SiC MOSFET, và công nghệ đóng gói mớ Pinejia đã chia sẻ một cách khách quan về ba khía cạnh chính này và cùng với các chuyên gia trong ngành đã trao đổi sôi nổibxh ngoai hang anh, chia sẻ những góc nhìn và ý kiến khác nhau.
Một8XBET, Xu hướng phát triển ứng dụng SiC MOSFET
Theo chia sẻ của tiến sĩ Lei Yang8XBET, từ dữ liệu thị trường của YOLE, nhu cầu về linh kiện công suất silic carbua đang tăng dần theo từng năm. Các yêu cầu cốt lõi như khả năng chuyển đổi công suất và hiệu suất chuyển đổi đã trở thành điểm nhấn mà người dùng quan tâm. Việc thay thế IGBT bằng SiC MOSFET có thể tận dụng tối đa ưu điểm chịu điện áp cao của thiết bị Ngoài ra, lợi thế về tổn thất chuyển mạch của SiC MOSFET cũng mang lại lợi ích kinh tế rõ rệt trong ứng dụng trên xe.
Haibxh ngoai hang anh, So sánh các tuyến đường công nghệ SiC MOSFET
Giá thành của SiC MOSFET trong hai năm gần đây đã giảm đáng kểbxh ngoai hang anh, chủ yếu nhờ sự phát triển mạnh mẽ của chuỗi cung ứng và giảm chi phí nguyên vật liệu. SiC MOSFET chủ yếu sử dụng...Cấu trúc cổng phẳng8XBET, cấu trúc rãnh đôi và cấu trúc rãnh bán bao quanhBa tuyến đường công nghệ này8XBET, trong đó Ưu điểm của cấu trúc cổng phẳng là độ tin cậy và ổn định cao ， Ưu điểm của cấu trúc rãnh đôi là mật độ rãnh cao ， Cấu trúc rãnh bán bao quanh Mặc dù không có lợi thế về mật độ rãnh8XBET, nhưng Lớp oxit cổng dày hơn ， Cgd nhỏ hơn Công nghệ cấu trúc cổng phẳng đã rất trưởng thànhbongdaso, trong khi công nghệ cấu trúc cổng rãnh đã phát triển nhanh chóng trong vài năm gần đây, chiếm phần lớn thị trường. Tuy nhiên, giải pháp tối ưu cuối cùng vẫn cần được kiểm chứng bởi thị trường. Theo hướng phát triển của thiết bị bán dẫn công suất, để nâng cao hiệu năng, cần thu nhỏ kích thước tế bào và tăng mật độ kênh. Vì cường độ đánh thủng của vật liệu silic carbua là 10 lần so với vật liệu silic, nên thiết kế SiC MOSFET 650V tương đương với thiết kế Si MOSFET 65V, và thiết kế SiC MOSFET 1200V tương đương với thiết kế Si MOSFET 120V. Do đó, chúng ta có thể tham khảo quy luật phát triển của Si MOSFET hạ áp.
Vào những năm 19808XBET, kích thước tế bào của MOSFET silic cấu trúc cổng phẳng khoảng 20-30 micromet. Tuy nhiên, do hiện tượng khuếch tán của vật liệu silic, không thể thu nhỏ kích thước tế bào thêm nữa, vì vậy chỉ có thể tiếp tục thu nhỏ kích thước tế bào thông qua cấu trúc cổng rãnh. Cấu trúc SGT sau đó đã giải quyết vấn đề về điện dung Cgd lớn của cấu trúc cổng rãnh. Hiện nay, xu hướng phát triển công nghệ thiết bị bán dẫn công suất trên thị trường cơ bản đều hướng đến việc thu nhỏ kích thước tế bào. Vào năm 20198XBET, Pinejia Semiconductor đã giới thiệu sản phẩm MOSFET silic carbua với kích thước tế bào 4,8 micromet, và hiệu năng của sản phẩm này đến nay vẫn giữ vị trí dẫn đầu. Pinejia Semiconductor sở hữu quyền sở hữu trí tuệ toàn diện về quy trình sản xuất silic carbuabongdaso, hỗ trợ việc thu nhỏ kích thước tế bào hơn nữa trên đường lối công nghệ cấu trúc cổng phẳng. Năm nay, họ sẽ giới thiệu sản phẩm MOSFET silic carbua thế hệ mới với kích thước tế bào nhỏ hơn, giúp mật độ kênh tăng rõ rệt, từ đó đạt được khả năng tải dòng điện cao hơn và độ tin cậy tốt hơn.
Mặc dù cấu trúc cổng rãnh có ưu thế về mật độ kênh8XBET, nhưng điện trở dẫn của nó thay đổi nhiều theo nhiệt độ, đặc biệt là ở nhiệt độ cao, điện trở dẫn sẽ tăng lên đáng kể. Nguyên nhân chính là do điện trở vùng trôi của cấu trúc cổng rãnh chiếm tỷ lệ lớn, dẫn đến hệ số nhiệt độ dương của tổng điện trở dẫn lớn. Ngoài ra, do cấu trúc tinh thể 4H-SiC có tính dị hướng, tính chất của mặt cổng giữa cấu trúc cổng phẳng và cấu trúc cổng rãnh có sự khác biệt đáng kể. Các khuyết tật của cấu trúc cổng phẳng dễ được làm mờ, do đó tính chất ổn định hơn. Ngược lại, các khuyết tật của cấu trúc cổng rãnh khó làm mờ, khiến điện tích phụ ảnh hưởng lớn đến các thông số như Vth. Cuối cùng, tiến sĩ Lei Yang đã phân tích vấn đề nhiễu tín hiệu trong ứng dụng mạch cầu của SiC MOSFET và chỉ ra rằng tỷ lệ Cgs/Cgd của cấu trúc cổng rãnh nhỏ hơn, trong khi tỷ lệ Cgs/Cgd của cấu trúc cổng phẳng lớn hơn, do đó cấu trúc cổng phẳng có khả năng chống nhiễu tốt hơn và thiết kế mạch điều khiển dễ dàng hơn.
Babxh ngoai hang anh, Công nghệ bao gói mới cho SiC MOSFET
Tiến sĩ Lei Yang cho biết8XBET, xu hướng phát triển công nghệ đóng gói tiên tiến cho SiC MOSFET bao gồm nâng cao khả năng chịu điện áp, tăng khả năng tải dòng, và giảm tổn thất chuyển mạch. Đồng thời, ông cũng lưu ý đến những lợi ích mà các công nghệ đóng gói mới mang lại trong quá trình sản xuất hàng loạt, và đề xuất một hình thức đóng gói mới – dạng đóng gói bề mặt có cách điện bên trong và tản nhiệt phía trên. Ngoài ra, trong buổi chia sẻbxh ngoai hang anh, tiến sĩ Lei Yang còn giới thiệu về các sản phẩm và dịch vụ của Pinejia Semiconductor, bao gồm MOSFET silic carbua, SBD silic carbua và Công ty cũng có kế hoạch ra mắt sản phẩm MOSFET silic carbua 2000 volt đầu tiên vào năm nay. 。
Trong hội nghị8XBET, tiến sĩ Lei Yang của Pinejia đã trao đổi ý tưởng với các chuyên gia trong ngành, cùng thảo luận về xu hướng phát triển. Từ chuyên môn đến phát triển, từ phát triển đến hợp tác, chúng tôi hy vọng sẽ có thêm nhiều cơ hội giao lưu và thảo luận trong tương lai, cùng nhau đi xa hơn và khám phá sâu hơn trong lĩnh vực bán dẫn.
Tổng hợp những khoảnh khắc nổi bật của hội chợ
--------------------------------------------------------------------------------------------------------
Về PNJ
-
Kiến thức và hành động hòa quyệnbxh ngoai hang anh, tạo ra giá trị
-
Thương hiệu hàng đầu Trung Quốc về thiết bị bán dẫn công suất thế hệ ba
-
Tập trung vào nghiên cứubongdaso, thiết kế và sản xuất thương mại hóa bán dẫn dải cấm rộng
-
Sản phẩm chính là MOSFET silic carbua tiêu chuẩn ô tô8XBET, diode silic carbua SBD và thiết bị công suất gallium nitride
-
Sở hữu danh mục thiết bị bán dẫn silic carbua đầy đủ nhất trong nước
PNJ Semiconductor
Được thành lập vào tháng 9 năm 2018bongdaso, Pinejia Semiconductor là nhà thiết kế và cung cấp giải pháp cho các thiết bị bán dẫn công suất thế hệ thứ ba. Là thành viên chính của cuộc họp ủy ban tiêu chuẩn JC-70, công ty đã tham gia vào việc xây dựng tiêu chuẩn quốc tế cho thiết bị bán dẫn công suất vật liệu dải cấm rộng. Pinejia đã phát hành hơn 100 mô hình linh kiện công suất SiC SBD, SiC MOSFET và GaN HEMT với các mức điện áp 650V/1200V/1700V. Trong đó, chip SiC MOSFET đã được đưa vào các nhà máy sản xuất xe điện Trung Quốc và các nhà cung cấp cấp 1. Các sản phẩm còn lại được sử dụng rộng rãi trong trung tâm dữ liệu, siêu tính toán và blockchain, trạm phát sóng 5G, hệ thống lưu trữ năng lượng và sạc, năng lượng mặt trời vi mô, đường sắt cao tốc và giao thông đô thị, thiết bị gia đình, cũng như lưới điện siêu cao thế, hàng không vũ trụ, nguồn điện công nghiệp đặc biệt, bộ lưu điện (UPS), và động cơ điều khiển.
Xin liên hệ để nhận mẫu: sales@pnjsemi.com