Silicon Carbide (SiC) là một loại bán dẫn thế hệ thứ ba8XBET, trong đó cấu trúc điốt Schottky SiC độc quyền của P-Innovation mang lại khả năng chịu điện áp cao hơn và dòng rò thấp hơn so với điốt Schottky truyền thống bằ Điều này giúp nâng cao hiệu suất tổng thể của hệ thống, đặc biệt phù hợp cho các ứng dụng hoạt động ở điện áp cao và tần số lớn. Ngoài ra, công nghệ này còn giải quyết được giới hạn chịu điện áp của điốt silicon và vấn đề tổn hao phục hồi ngược lớn. Điốt SiC có chi phí sản xuất tương đối thấp và đã được sử dụng rộng rãi trong nhiều lĩnh vực. P-Innovation cung cấp nhiều dạng bọc khác nhau để đáp ứng nhu cầu đa dạng của các ứng dụng thực tế.