Silicon carbide (SiC) thuộc về thế hệ bán dẫn thứ babóng đá wap, trong đó transistor MOSFET SiC có khả năng hoạt động hiệu quả hơn so với các linh kiện silicon truyền thống trong điều kiện điện áp cao, tần số lớn và nhiệt độ nóng. Việc tăng tần số giúp giảm kích thước các linh kiện từ tính, từ đó đạt được mật độ công suất cao hơn. Transistor MOSFET SiC kiểu phẳng của PineJie có độ bền lớp oxit gate tuyệt vời và độ biến thiên Rdson ở nhiệt độ cao rất nhỏ, mang lại đặc tính hoạt động tốt trong môi trường nhiệt độ cao. Loại MOSFET SiC này sử dụng dạng chân cắm TO247-4, đi kèm với chân Kelvin để giảm ảnh hưởng của điện cảm nguồn phụ đến mạch điều khiển cổng, nhờ đó cải thiện tốc độ chuyển mạch, giảm tổn hao chuyển mạch và nâng cao hiệu suất.